सिलिकॉन डाइऑक्साइड लेयर के साथ सिलिकॉन वेफर

सिलिकॉन डाइऑक्साइड लेयर के साथ सिलिकॉन वेफर मूल्य और मात्रा

• मूल्य की इकाई पैक/पैक्स
• न्यूनतम आदेश मात्रा 1
• माप की इकाई , पैक/पैक्स

सिलिकॉन डाइऑक्साइड लेयर के साथ सिलिकॉन वेफर उत्पाद की विशेषताएं

• पवित्रता 99.99% (4N) or higher
• कठोरता Mohs 6.5 – 7
• रासायनिक संरचना Monocrystalline Silicon (Si) substrate with thermally grown SiO2 layer (typically 100 nm – 300 nm)
• नमी <0.01% (minimal humidity, hydrophobic layer)
• रंग Mirror-like surface, with visible pale-blue or off-white silica layer
• एलॉय None (single-element Silicon processed)
• मटेरियल Silicon with silicon dioxide (SiO2) layer
• स्ट्रेंथ High mechanical strength, fracture-resistant
• आयाम (एल* डब्ल्यू* एच) Diameter: 100 mm (4 inch) or 150 mm (6 inch); Thickness: Approx. 525 ± 25 µm

• Crystal Orientation <100> or <111> (as specified)
• Storage Conditions Cleanroom, vacuum packed to prevent moisture/contamination
• Edge Type Beveled or standard SEMI flat/notch
• Thermal SiO2 Growth Method Dry/wet thermal oxidation
• SiO2 Layer Thickness Uniformity 5% across wafer
• Packaging Sealed wafer cassettes, class 100 cleanroom compatible
• Carrier Type P-type or N-type (doping: Boron or Phosphorus)
• Defect Density < 300 defects/cm2
• Resistivity 1 - 10 cm (typical)
• Surface Finish Polished, ultra-flat, single side (SSP) or double side polished (DSP) available

सिलिकॉन डाइऑक्साइड लेयर के साथ सिलिकॉन वेफर व्यापार सूचना

• आपूर्ति की क्षमता 1000-10000 प्रति दिन
• डिलीवरी का समय 2-3 दिन
• मुख्य घरेलू बाज़ार ऑल इंडिया